RTX3090公版零售价曝光比2080Ti贵了40%

9月1日和10月5日,黄仁勋将连续出席两场NVIDIA的重要活动,前一次是GeForce专题,后一次则是GTC 2020大会。外界普遍猜测,9月这场将发布首波RTX 30系列显卡,GTC 2020上有望进一步丰富家族阵容。

关于外界盛传的RTX 3090,日前有爆料给出非公版高端卡的价格,高达1.2~1.5万元。不过非公种类繁多,定位不同,价格参考意义并不大。

简单对比下, RTX 2080 Ti发售之处的起步价是999美元,FE版是1199美元,换言之,RTX 3090分别调高了40%和25%,难道真是性能涨幅看齐价格涨幅的节奏?

此外,N5的缺陷密度学习曲线比N7快,这就意味着其5nm工艺节点将比其上一节点更快地达到更高的良率。

台积电将3D Fabric框架与SoIC组(CoW和WoW)下的前端3D堆叠技术相结合,并将后端3D堆叠技术与InFo和CoWoS子组相结合,这些技术的集合支持多种封装选项。此外,台积电也已开发出新的LSI(本地SI互连)变体的InFo和CoWoS封装。

台积电在纳米片技术方面拥有超过15年的经验,并已证明其可以生产工作在0.46V的32Mb纳米片SRAM器件。台积电还确定了集中适用于2D的非硅材料,这些材料可以将沟道厚度缩小代1nm以下。此外,台积电还同碳纳米管器件公司展开合作。

没想到,RTX 3090的公版价格也在国内泄露, 据说要到1399美元,FE版则是1499美元。

台积电表示,其5nm芯片将在Fab 18进行生产,这是台积电的第四家超大晶圆厂(Gigafab)和首家5nm晶圆厂。Fab 18自2018年破土动工,一年之后开始迁入1300多套晶圆厂工具,耗时8个月。Fab 18于2020年第二季度开始量产N5,并计划每年处理大约1百万个12英寸晶圆。

在3nm以下的工艺制程中,台积电也在努力定义并做出突破。在研讨会上,台积电分享了一些行业进步,但未透露具体的技术细节。台积电将纳米片和纳米线列为先进技术,并将新材料(例如高迁移率通道、2D晶体管和碳纳米管)列为研究对象。

对于7nm工艺节点,台积电再次宣称要在该节点上达到10亿颗出货量,该节点目前已有140多种设计,计划在年底之前推出200款设计。

该公司还表示,其3nm N3节点将于2021年开始风险量产,并在2022年下半年大批量生产,此节点可提供比N5更完整的扩展能力,性能提升10-15%,功耗降低25-30%,密度提高70%。该工艺节点继续使用FinFET架构,SRAM密度增加20%,模拟密度增加10%。

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台积电CoWoS封装技术

在研发方面,台积电持续加大投入,仅在2019年就投入了29.6亿美元。另外在台积电高级副总裁Kevin zhang在预先录制的视频中表示,将在公司总部附件建立了一个新的研发中心,配备8000名工程师,该研发中心将专注于研究2nm芯片等产品,预计在2021年完成第一阶段建设。

目前事故原因正在调查中。伊朗半官方的法尔斯通讯社称,初步怀疑是氧气罐导致了爆炸。伊朗国家电视台也援引德黑兰紧急服务部门负责人萨伯里安的话报道说,此次事故可能由氧气罐爆炸引起。该报道还称,由于该医疗中心内还存有一些氧气罐,爆炸可能会再次发生。

台积电还为高性能应用开发了增强型N5P节点,计划于2021年投入使用,与N5相比,在功率相同的情况下,N5P的性能提升了5%,功耗降低10%。

台积电自9月14日起断供华为,僵局之下双方营收均上涨

伊朗官方的伊通社最新消息称,事故造成的死亡人数已上升到19人,20人被顺利救出,其中至少包含6名伤者。德黑兰消防部门发言人马利基向伊朗媒体证实,死亡人数中包括15名女性、4名男性。据了解,死者中包含了医疗中心的部分医护人员。随着救援工作的继续开展,死伤数字后续或有增加。

与N7相比,台积电5nm N5 工艺采用了EUV技术,具有完整的节点扩展优势。台积电称,在相同功率下,N5工艺的性能比N7提高了15%,功耗消耗降低30%,逻辑密度提高1.8倍。

相比而言,台积电在晶圆级封装方面已经拥有强大的3D封装技术组合,例如CoWoS、InFO、CoW、WoW等。台积电目前正将这些技术整合为“台积电3D Fabric”, 将小芯片、高带宽内存和专用IP组合在一起构成异构封装,这似乎也是其3D封装技术的品牌计划。

目前,案件正在进一步侦办中。(总台央视记者 郭晓光)

3nm之后,寻求先进技术和新材料

由于台积电5nm N4节点与在N5节点上的IP兼容,因此N4节点生产可提供直接迁移,不过在其性能、功率和密度上都未透露更多细节,但可以知道 N4需要的掩膜层更少。台积电计划在2021年第四季度开始N4风险生产,并在2022年实现量产。

台积电认为,先进的封装技术是进一步实现密度扩展的关键,而3D封装技术则是最佳的发展方向,业界内的其他公司持同样的态度,

​台积电3nm晶体管密度将提高15%,将代工苹果A16,预计2021下半年量产

塔季里什广场位于德黑兰北部,是该市最繁华以及人流最密集的地区之一。(完)

整合先进封装技术,命名为台积电3D Fabric

2nm研发取得重大突破!台积电迈向GAA为什么比三星晚?

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Ampere Computing的创始人兼首席执行官Renee Jones在此次研讨会上表示,已经有很多公司使用该N5工艺制造下一代服务器芯片,这意味着台积电已克服大部分5nm工艺节点中的设计和制造障碍。

本月中旬,三星向外界展示了其3D封装技术,并计划在明年同台积电在芯片封装方面展开竞争。据报道,三星的3D封装技术名为“eXtended-Cube” ,简称“X-Cube”,是一种利用垂直电气连接的封装解决方案,允许多层超薄叠加,利用直通硅通孔技术来打造逻辑半导体,目前已经能用于7nm制程工艺。